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然而，新规在较高pH值的碱性条件下，样品为层状和聚集结构，具有较小的比表面积和较低的电容（1Ag-1时为148Fg-1）(图7D)。此外，提前3天天激光诱导高温气固合成提供了一种在绝缘衬底上直接生长异原子掺杂3-D石墨烯薄膜的有效方法，提前3天天其中3-D石墨烯的结构和形貌可以通过改变掺杂元素和它们的浓度。

碳上典型的含P官能团，报备如C-O-PO3和(C-O)3PO基团，可在H+环境中通过可逆的-P=O和-P-OH氧化还原反应直接产生赝电容。这三种增强效应将分别有助于形成高电荷存储面积、得进电极和电解液之间的良好润湿性以及良好的电子可接受性。共场石墨烯三维结构对电容器性能的影响:以B掺杂石墨烯为例探讨石墨烯结构对电容器性能的影响（图5）。

此外，入济入济入关于水热或溶剂热法和化学活化法，掺杂前驱体对石墨烯3-D结构的影响也很明显，因为它们的非模板路线更容易受到影响化学制剂的干扰。新规图7G生动地描述了碱电解液中共掺杂碳中N/S/P/O官能团的拟电容反应机理。

三维石墨烯可以通过化学发泡法、提前3天天水热或溶剂热法、模板辅助组装法、模板辅助CVD法和化学活化法制备。

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